STGD6M65DF2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STGD6M65DF2
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: G6M65DF2
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Máxima potencia disipada (Pc), W: 88
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 12
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.55
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 5.8
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 31
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 21.2
   Paquete / Cubierta: DPAK

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STGD6M65DF2 Datasheet (PDF)

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stgd6m65df2.pdf

STGD6M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss Datasheet - production data Features 6 s of short-circuit withstand time V = 1.55 V (typ.) @ I = 6 A CE(sat) C Tight parameter distribution Safer paralleling Low thermal resistance Soft and very fast recovery antiparallel diode Applications Motor control Figure 1: Interna

9.1. Size:370K st
stgd6nc60h-1.pdf