STGD6M65DF2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STGD6M65DF2
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: G6M65DF2
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 88 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 5.8 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 31 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 21.2 nC
   Paquete / Cubierta: DPAK

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STGD6M65DF2 Datasheet (PDF)

..1. Size:909K st
stgd6m65df2.pdf

STGD6M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss Datasheet - production data Features 6 s of short-circuit withstand time V = 1.55 V (typ.) @ I = 6 A CE(sat) C Tight parameter distribution Safer paralleling Low thermal resistance Soft and very fast recovery antiparallel diode Applications Motor control Figure 1: Interna

9.1. Size:370K st
stgd6nc60h-1.pdf