STGD6M65DF2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGD6M65DF2
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 88 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 5.8 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 31 pF
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de STGD6M65DF2 IGBT
STGD6M65DF2 Datasheet (PDF)
stgd6m65df2.pdf
STGD6M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss Datasheet - production data Features 6 s of short-circuit withstand time V = 1.55 V (typ.) @ I = 6 A CE(sat) C Tight parameter distribution Safer paralleling Low thermal resistance Soft and very fast recovery antiparallel diode Applications Motor control Figure 1: Interna
stgd6nc60h-1.pdf
STGD6NC60H-1N-channel 600 V, 7 A - IPAK Very fast PowerMESH IGBTDatasheet - production dataFeaturesICVCE(sat) TABType VCESmax@25C@100CSTGD6NC60H 600V
stgd6nc60h.pdf
STGD6NC60HN-channel 600V - 7A - DPAKVery fast PowerMESH IGBTGeneral featuresICVCE(sat)MaxType VCES@25C @100CSTGD6NC60H 600V
stgd6nc60hd.pdf
STGD6NC60HDN-channel 600V - 7A - DPAKVery fast PowerMESH IGBTGeneral featuresICVCE(sat)MaxType VCES@25C @100CSTGD6NC60HD 600V
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