STGD6M65DF2 - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

STGD6M65DF2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: STGD6M65DF2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G6M65DF2
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 5.8 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 31 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 21.2 nC
   Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STGD6M65DF2

STGD6M65DF2 Datasheet (PDF)

..1. Size:909K st
stgd6m65df2.pdf

STGD6M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss Datasheet - production data Features 6 s of short-circuit withstand time V = 1.55 V (typ.) @ I = 6 A CE(sat) C Tight parameter distribution Safer paralleling Low thermal resistance Soft and very fast recovery antiparallel diode Applications Motor control Figure 1: Interna

9.1. Size:370K st
stgd6nc60h-1.pdf