STGP20M65DF2 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGP20M65DF2
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 166 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 10.8 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 95 pF
Encapsulados: TO220
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STGP20M65DF2 datasheet
stgp20nb37lz.pdf
STGP20NB37LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT PRELIMINARY DATA TYPE VCES VCE(sat) IC STGP20NB37LZ CLAMPED
stgp20nb60k stgw20nb60k.pdf
STGP20NB60K STGW20NB60K N-CHANNEL 20A - 600V - TO-220/TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGP20NB60K 600 V
stgp20nb60h.pdf
STGP20NB60H N-CHANNEL 20A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGP20NB60H 600 V
Otros transistores... STGD4M65DF2 , STGD6M65DF2 , STGD7NC60HT4 , STGF15M65DF2 , STGF20M65DF2 , STGF30M65DF2 , STGWA40H65FB , STGP10M65DF2 , IHW20N120R3 , STGP30M65DF2 , STGW100H65FB2-4 , STGW10M65DF2 , STGWA30H60DFB , STGW30M65DF2 , STGWA30M65DF2 , STGWA60V60DF , STGW75H65DFB2-4 .
History: SGR5N60RUF | NCE80TD60BT
History: SGR5N60RUF | NCE80TD60BT
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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