STGP20M65DF2 - аналоги и описание IGBT

 

STGP20M65DF2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: STGP20M65DF2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 10.8 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 95 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для STGP20M65DF2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGP20M65DF2 даташит

 ..1. Size:515K  st
stgp20m65df2.pdfpdf_icon

STGP20M65DF2

 8.1. Size:110K  st
stgp20nb37lz.pdfpdf_icon

STGP20M65DF2

STGP20NB37LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT PRELIMINARY DATA TYPE VCES VCE(sat) IC STGP20NB37LZ CLAMPED

 8.2. Size:325K  st
stgp20nb60k stgw20nb60k.pdfpdf_icon

STGP20M65DF2

STGP20NB60K STGW20NB60K N-CHANNEL 20A - 600V - TO-220/TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGP20NB60K 600 V

 8.3. Size:294K  st
stgp20nb60h.pdfpdf_icon

STGP20M65DF2

STGP20NB60H N-CHANNEL 20A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGP20NB60H 600 V

Другие IGBT... STGD4M65DF2 , STGD6M65DF2 , STGD7NC60HT4 , STGF15M65DF2 , STGF20M65DF2 , STGF30M65DF2 , STGWA40H65FB , STGP10M65DF2 , IHW20N120R3 , STGP30M65DF2 , STGW100H65FB2-4 , STGW10M65DF2 , STGWA30H60DFB , STGW30M65DF2 , STGWA30M65DF2 , STGWA60V60DF , STGW75H65DFB2-4 .

History: IXSH35N120B | STGB3NB60SD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.