STGP20M65DF2 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: STGP20M65DF2
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 10.8 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 95 pF
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для STGP20M65DF2
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGP20M65DF2 даташит
stgp20nb37lz.pdf
STGP20NB37LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT PRELIMINARY DATA TYPE VCES VCE(sat) IC STGP20NB37LZ CLAMPED
stgp20nb60k stgw20nb60k.pdf
STGP20NB60K STGW20NB60K N-CHANNEL 20A - 600V - TO-220/TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGP20NB60K 600 V
stgp20nb60h.pdf
STGP20NB60H N-CHANNEL 20A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGP20NB60H 600 V
Другие IGBT... STGD4M65DF2 , STGD6M65DF2 , STGD7NC60HT4 , STGF15M65DF2 , STGF20M65DF2 , STGF30M65DF2 , STGWA40H65FB , STGP10M65DF2 , IHW20N120R3 , STGP30M65DF2 , STGW100H65FB2-4 , STGW10M65DF2 , STGWA30H60DFB , STGW30M65DF2 , STGWA30M65DF2 , STGWA60V60DF , STGW75H65DFB2-4 .
History: IXSH35N120B | STGB3NB60SD
History: IXSH35N120B | STGB3NB60SD
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970










