STGW75H65DFB2-4 Todos los transistores

 

STGW75H65DFB2-4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STGW75H65DFB2-4
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: G75H65DFB2
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 357 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 115 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 26 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 264 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 207 nC
   Paquete / Cubierta: TO247-4
 

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STGW75H65DFB2-4 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:326K  st
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STGW75H65DFB2-4

STGW75H65DFB2-4DatasheetTrench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 packageFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 75 A Very fast and soft recovery co-packaged diode Minimized tail current43 Tight parameter distribution21 Low thermal resistanceTO247-4 Positive VCE

 8.1. Size:1019K  st
 stgw75m65df2 stgwa75m65df2.pdf pdf_icon

STGW75H65DFB2-4

STGW75M65DF2, STGWA75M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 75 A low-loss in TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features 6 s of short-circuit withstand time V = 1.65 V (typ.) @ I = 75 A CE(sat) C Tight parameter distribution Safer paralleling Positive V temperature coefficient CE(sat) Low thermal resi

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History: RJH60F5BDPQ-A0 | IXGX32N170AH1 | IRGP4066D-EPBF

 

 
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