STGW75H65DFB2-4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGW75H65DFB2-4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 357 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 115 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 26 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 264 pF
Encapsulados: TO247-4
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STGW75H65DFB2-4 datasheet
stgw75h65dfb2-4.pdf
STGW75H65DFB2-4 Datasheet Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 package Features Maximum junction temperature TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 75 A Very fast and soft recovery co-packaged diode Minimized tail current 4 3 Tight parameter distribution 2 1 Low thermal resistance TO247-4 Positive VCE
stgw75m65df2 stgwa75m65df2.pdf
STGW75M65DF2, STGWA75M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 75 A low-loss in TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features 6 s of short-circuit withstand time V = 1.65 V (typ.) @ I = 75 A CE(sat) C Tight parameter distribution Safer paralleling Positive V temperature coefficient CE(sat) Low thermal resi
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