STGW75H65DFB2-4 - аналоги и описание IGBT

 

STGW75H65DFB2-4 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: STGW75H65DFB2-4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 115 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 26 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 264 pF

Тип корпуса: TO247-4

 Аналог (замена) для STGW75H65DFB2-4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGW75H65DFB2-4 даташит

 0.1. Size:326K  st
 stgw75h65dfb2-4.pdf pdf_icon

STGW75H65DFB2-4

STGW75H65DFB2-4 Datasheet Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 package Features Maximum junction temperature TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 75 A Very fast and soft recovery co-packaged diode Minimized tail current 4 3 Tight parameter distribution 2 1 Low thermal resistance TO247-4 Positive VCE

 8.1. Size:1019K  st
 stgw75m65df2 stgwa75m65df2.pdf pdf_icon

STGW75H65DFB2-4

STGW75M65DF2, STGWA75M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 75 A low-loss in TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features 6 s of short-circuit withstand time V = 1.65 V (typ.) @ I = 75 A CE(sat) C Tight parameter distribution Safer paralleling Positive V temperature coefficient CE(sat) Low thermal resi

Другие IGBT... STGP20M65DF2 , STGP30M65DF2 , STGW100H65FB2-4 , STGW10M65DF2 , STGWA30H60DFB , STGW30M65DF2 , STGWA30M65DF2 , STGWA60V60DF , MBQ50T65FDSC , STGW75M65DF2 , STGWA75M65DF2 , STGWA100H65DFB2 , STGWA20H65DFB2 , STGWA20HP65FB2 , STGWA20IH65DF , STGWA20M65DF2 , STGWA30IH65DF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.