Справочник IGBT. STGW75H65DFB2-4

 

STGW75H65DFB2-4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGW75H65DFB2-4
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G75H65DFB2
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 115 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 26 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 264 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 207 nC
   Тип корпуса: TO247-4

 Аналог (замена) для STGW75H65DFB2-4

 

 

STGW75H65DFB2-4 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:326K  st
 stgw75h65dfb2-4.pdf

STGW75H65DFB2-4 STGW75H65DFB2-4

STGW75H65DFB2-4DatasheetTrench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 packageFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 75 A Very fast and soft recovery co-packaged diode Minimized tail current43 Tight parameter distribution21 Low thermal resistanceTO247-4 Positive VCE

 8.1. Size:1019K  st
 stgw75m65df2 stgwa75m65df2.pdf

STGW75H65DFB2-4 STGW75H65DFB2-4

STGW75M65DF2, STGWA75M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 75 A low-loss in TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features 6 s of short-circuit withstand time V = 1.65 V (typ.) @ I = 75 A CE(sat) C Tight parameter distribution Safer paralleling Positive V temperature coefficient CE(sat) Low thermal resi

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top