STGYA120M65DF2AG Todos los transistores

 

STGYA120M65DF2AG IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STGYA120M65DF2AG

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 38 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 610 pF

Encapsulados: MAX247

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STGYA120M65DF2AG datasheet

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STGYA120M65DF2AG

 9.1. Size:2033K  st
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STGYA120M65DF2AG

STGYA75H120DF2 Datasheet Trench gate field-stop, 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long leads package Features Maximum junction temperature TJ = 175 C 5 s of short-circuit withstand time 3 2 VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 75 A TAB 1 Tight parameter distribution TAB Positive VCE(sat) temperature coefficient Low thermal resistance 1 2

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History: SPT25N135F1AT8TL | NGTB30N65IHL2WG | SPT40N120T1BT8TL | TT025N120FQ

 

 

 

 

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