STGYA120M65DF2AG - аналоги и описание IGBT

 

STGYA120M65DF2AG - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: STGYA120M65DF2AG

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 38 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 610 pF

Тип корпуса: MAX247

 Аналог (замена) для STGYA120M65DF2AG

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGYA120M65DF2AG даташит

 0.1. Size:546K  st
 stgya120m65df2ag.pdf pdf_icon

STGYA120M65DF2AG

 9.1. Size:2033K  st
 stgya75h120df2.pdf pdf_icon

STGYA120M65DF2AG

STGYA75H120DF2 Datasheet Trench gate field-stop, 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long leads package Features Maximum junction temperature TJ = 175 C 5 s of short-circuit withstand time 3 2 VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 75 A TAB 1 Tight parameter distribution TAB Positive VCE(sat) temperature coefficient Low thermal resistance 1 2

Другие IGBT... STGWA30IH65DF , STGWA40H65DFB , STGWA40H65DFB2 , STGWA40HP65FB2 , STGWA50HP65FB2 , STGWA50M65DF2 , STGWA75H65DFB2 , STGWT30HP65FB , YGW40N65F1 , STGYA75H120DF2 , AFGB30T65SQDN , AFGB40T65SQDN , AFGHL40T65SPD , AFGHL40T65SQ , AFGHL40T65SQD , AFGHL50T65SQ , AFGHL50T65SQD .

History: YGW40N65F1A1 | SRE60N065FSU | TA49052

 

 

 

 

↑ Back to Top
.