Справочник IGBT. STGYA120M65DF2AG

 

STGYA120M65DF2AG Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGYA120M65DF2AG
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 38 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 610 pF
   Тип корпуса: MAX247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

STGYA120M65DF2AG Datasheet (PDF)

 0.1. Size:546K  st
 stgya120m65df2ag.pdf pdf_icon

STGYA120M65DF2AG

STGYA120M65DF2AGDatasheetAutomotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 120 A, low-loss, M series IGBT in a Max247 long leads packageFeatures AEC-Q101 qualified 6 s of short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 120 A Tight parameter distribution Safer paralleling Positive VCE(sat) temperature coefficient Low thermal resistance

 9.1. Size:2033K  st
 stgya75h120df2.pdf pdf_icon

STGYA120M65DF2AG

STGYA75H120DF2DatasheetTrench gate field-stop, 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long leads packageFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C 5 s of short-circuit withstand time32 VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 75 ATAB1 Tight parameter distributionTAB Positive VCE(sat) temperature coefficient Low thermal resistance12

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: DF900R12IP4D | STGWT30V60F | T0360NB25A

 

 
Back to Top

 


 
.