STGYA75H120DF2 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGYA75H120DF2
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 750 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 34 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 420 pF
Encapsulados: MAX247
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STGYA75H120DF2 datasheet
stgya75h120df2.pdf
STGYA75H120DF2 Datasheet Trench gate field-stop, 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long leads package Features Maximum junction temperature TJ = 175 C 5 s of short-circuit withstand time 3 2 VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 75 A TAB 1 Tight parameter distribution TAB Positive VCE(sat) temperature coefficient Low thermal resistance 1 2
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History: STGW40V60DLF | STGWA30N120KD | SPT40N120T1BT8TL | STGWA75M65DF2 | STGB10M65DF2
History: STGW40V60DLF | STGWA30N120KD | SPT40N120T1BT8TL | STGWA75M65DF2 | STGB10M65DF2
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