STGYA75H120DF2 Todos los transistores

 

STGYA75H120DF2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STGYA75H120DF2
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: G75H120DF2
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 750 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 34 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 420 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 313 nC
   Paquete / Cubierta: MAX247
     - Selección de transistores por parámetros

 

STGYA75H120DF2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2033K  st
 stgya75h120df2.pdf pdf_icon

STGYA75H120DF2

STGYA75H120DF2DatasheetTrench gate field-stop, 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long leads packageFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C 5 s of short-circuit withstand time32 VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 75 ATAB1 Tight parameter distributionTAB Positive VCE(sat) temperature coefficient Low thermal resistance12

 9.1. Size:546K  st
 stgya120m65df2ag.pdf pdf_icon

STGYA75H120DF2

STGYA120M65DF2AGDatasheetAutomotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 120 A, low-loss, M series IGBT in a Max247 long leads packageFeatures AEC-Q101 qualified 6 s of short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 120 A Tight parameter distribution Safer paralleling Positive VCE(sat) temperature coefficient Low thermal resistance

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