STGYA75H120DF2 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: STGYA75H120DF2
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 750 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 34 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 420 pF
Тип корпуса: MAX247
Аналог (замена) для STGYA75H120DF2
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGYA75H120DF2 даташит
stgya75h120df2.pdf
STGYA75H120DF2 Datasheet Trench gate field-stop, 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long leads package Features Maximum junction temperature TJ = 175 C 5 s of short-circuit withstand time 3 2 VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 75 A TAB 1 Tight parameter distribution TAB Positive VCE(sat) temperature coefficient Low thermal resistance 1 2
Другие IGBT... STGWA40H65DFB , STGWA40H65DFB2 , STGWA40HP65FB2 , STGWA50HP65FB2 , STGWA50M65DF2 , STGWA75H65DFB2 , STGWT30HP65FB , STGYA120M65DF2AG , JT075N065WED , AFGB30T65SQDN , AFGB40T65SQDN , AFGHL40T65SPD , AFGHL40T65SQ , AFGHL40T65SQD , AFGHL50T65SQ , AFGHL50T65SQD , AFGHL50T65SQDC .
History: YGW40N65F1A1 | SRE60N065FSU | TA49052
History: YGW40N65F1A1 | SRE60N065FSU | TA49052
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor