AFGB30T65SQDN Todos los transistores

 

AFGB30T65SQDN IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFGB30T65SQDN

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 220 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 16 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 44 pF

Encapsulados: D2PAK

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AFGB30T65SQDN datasheet

 ..1. Size:151K  onsemi
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AFGB30T65SQDN

AFGB30T65SQDN IGBT for Automotive Applications 650 V, 30 A, D2PAK Features www.onsemi.com Maximum Junction Temperature TJ = 175 C High Speed Switching Series BVCES VCE(sat) TYP IC MAX VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 30 A 650 V 1.6 V 120 A Low VF Soft Recovery Co-packaged Diode AEC-Q101 Qualified C 100% of the Parts are Dynamically Tested (Note 1) Typical

Otros transistores... STGWA40H65DFB2 , STGWA40HP65FB2 , STGWA50HP65FB2 , STGWA50M65DF2 , STGWA75H65DFB2 , STGWT30HP65FB , STGYA120M65DF2AG , STGYA75H120DF2 , CRG40T60AK3HD , AFGB40T65SQDN , AFGHL40T65SPD , AFGHL40T65SQ , AFGHL40T65SQD , AFGHL50T65SQ , AFGHL50T65SQD , AFGHL50T65SQDC , AFGHL75T65SQ .

History: STGW100H65FB2-4 | IXSH45N120B | SGR5N60RUF | HIA30N140IH-DA | IXSR40N60BD1 | SPF15N65T1T2TL

 

 

 

 

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