AFGB30T65SQDN Todos los transistores

 

AFGB30T65SQDN - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFGB30T65SQDN
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 220 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 16 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 44 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 56 nC
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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AFGB30T65SQDN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  onsemi
 afgb30t65sqdn.pdf pdf_icon

AFGB30T65SQDN

AFGB30T65SQDNIGBT for AutomotiveApplications650 V, 30 A, D2PAKFeatureswww.onsemi.com Maximum Junction Temperature: TJ = 175C High Speed Switching SeriesBVCES VCE(sat) TYP IC MAX VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 30 A650 V 1.6 V 120 A Low VF Soft Recovery Co-packaged Diode AEC-Q101 QualifiedC 100% of the Parts are Dynamically Tested (Note 1)Typical

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History: MMG450WB120B6TN | MMG300WB170B

 

 
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