AFGB30T65SQDN - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AFGB30T65SQDN
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 220
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 60
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.6
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 16
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 44
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 56
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de AFGB30T65SQDN - IGBT
AFGB30T65SQDN Datasheet (PDF)
afgb30t65sqdn.pdf
AFGB30T65SQDNIGBT for AutomotiveApplications650 V, 30 A, D2PAKFeatureswww.onsemi.com Maximum Junction Temperature: TJ = 175C High Speed Switching SeriesBVCES VCE(sat) TYP IC MAX VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 30 A650 V 1.6 V 120 A Low VF Soft Recovery Co-packaged Diode AEC-Q101 QualifiedC 100% of the Parts are Dynamically Tested (Note 1)Typical
Otros transistores... STGWA40H65DFB2 , STGWA40HP65FB2 , STGWA50HP65FB2 , STGWA50M65DF2 , STGWA75H65DFB2 , STGWT30HP65FB , STGYA120M65DF2AG , STGYA75H120DF2 , MBQ50T65FESC , AFGB40T65SQDN , AFGHL40T65SPD , AFGHL40T65SQ , AFGHL40T65SQD , AFGHL50T65SQ , AFGHL50T65SQD , AFGHL50T65SQDC , AFGHL75T65SQ .
Liste
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