Справочник IGBT. AFGB30T65SQDN

 

AFGB30T65SQDN - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AFGB30T65SQDN
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 220
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.6
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 16
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 44
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 56
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для AFGB30T65SQDN

 

 

AFGB30T65SQDN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  onsemi
 afgb30t65sqdn.pdf

AFGB30T65SQDN AFGB30T65SQDN

AFGB30T65SQDNIGBT for AutomotiveApplications650 V, 30 A, D2PAKFeatureswww.onsemi.com Maximum Junction Temperature: TJ = 175C High Speed Switching SeriesBVCES VCE(sat) TYP IC MAX VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 30 A650 V 1.6 V 120 A Low VF Soft Recovery Co-packaged Diode AEC-Q101 QualifiedC 100% of the Parts are Dynamically Tested (Note 1)Typical

Другие IGBT... STGWA40H65DFB2 , STGWA40HP65FB2 , STGWA50HP65FB2 , STGWA50M65DF2 , STGWA75H65DFB2 , STGWT30HP65FB , STGYA120M65DF2AG , STGYA75H120DF2 , MBQ50T65FESC , AFGB40T65SQDN , AFGHL40T65SPD , AFGHL40T65SQ , AFGHL40T65SQD , AFGHL50T65SQ , AFGHL50T65SQD , AFGHL50T65SQDC , AFGHL75T65SQ .

 

 
Back to Top