Справочник IGBT. AFGB30T65SQDN

 

AFGB30T65SQDN Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AFGB30T65SQDN
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 44 pF
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для AFGB30T65SQDN

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AFGB30T65SQDN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  onsemi
 afgb30t65sqdn.pdf pdf_icon

AFGB30T65SQDN

AFGB30T65SQDNIGBT for AutomotiveApplications650 V, 30 A, D2PAKFeatureswww.onsemi.com Maximum Junction Temperature: TJ = 175C High Speed Switching SeriesBVCES VCE(sat) TYP IC MAX VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 30 A650 V 1.6 V 120 A Low VF Soft Recovery Co-packaged Diode AEC-Q101 QualifiedC 100% of the Parts are Dynamically Tested (Note 1)Typical

Другие IGBT... STGWA40H65DFB2 , STGWA40HP65FB2 , STGWA50HP65FB2 , STGWA50M65DF2 , STGWA75H65DFB2 , STGWT30HP65FB , STGYA120M65DF2AG , STGYA75H120DF2 , CRG40T60AK3HD , AFGB40T65SQDN , AFGHL40T65SPD , AFGHL40T65SQ , AFGHL40T65SQD , AFGHL50T65SQ , AFGHL50T65SQD , AFGHL50T65SQDC , AFGHL75T65SQ .

 

 
Back to Top

 


 
.