FGAF30S65AQ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGAF30S65AQ
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 83
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 60
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.4
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.6
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 6
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 29
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 58
Paquete / Cubierta: TO3PF
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FGAF30S65AQ Datasheet (PDF)
fgaf30s65aq.pdf
Field Stop Trench IGBT, 30 A, 650 VFGAF30S65AQUsing novel field stop IGBT technology, ON Semiconductors newseries of field stop 4th generation of RC IGBTs offer the optimumperformance for PFC applications and welder where low conductionwww.onsemi.comand switching losses are essential.Features30 A, 650 V Maximum Junction Temperature: TJ = 175CVCE(sat) = 1.4 V (Typ.)
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Liste
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