FGAF30S65AQ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGAF30S65AQ
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 83 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.4 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 6 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 29 pF
Paquete / Cubierta: TO3PF
Búsqueda de reemplazo de FGAF30S65AQ IGBT
FGAF30S65AQ Datasheet (PDF)
fgaf30s65aq.pdf
Field Stop Trench IGBT, 30 A, 650 VFGAF30S65AQUsing novel field stop IGBT technology, ON Semiconductors newseries of field stop 4th generation of RC IGBTs offer the optimumperformance for PFC applications and welder where low conductionwww.onsemi.comand switching losses are essential.Features30 A, 650 V Maximum Junction Temperature: TJ = 175CVCE(sat) = 1.4 V (Typ.)
Otros transistores... FGA40S65SH , FGA40T65SHD , FGA40T65SHDF , FGA40T65UQDF , FGA5065ADF , FGA50S110P , FGA6530WDF , FGA6540WDF , GT30F132 , FGAF40N60SMD , FGAF40S65AQ , FGB20N60SFD-F085 , FGB3040CS , FGI3040G2-F085 , FGB3040G2-F085 , FGD3040G2-F085 , FGP3040G2-F085 .
History: 2MBI400VD-060-50
History: 2MBI400VD-060-50
Liste
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