FGAF30S65AQ Todos los transistores

 

FGAF30S65AQ IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FGAF30S65AQ
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 83 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.4 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 6 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 29 pF
   Paquete / Cubierta: TO3PF
 

 Búsqueda de reemplazo de FGAF30S65AQ IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FGAF30S65AQ PDF specs

 ..1. Size:294K  onsemi
 fgaf30s65aq.pdf pdf_icon

FGAF30S65AQ

Field Stop Trench IGBT, 30 A, 650 V FGAF30S65AQ Using novel field stop IGBT technology, ON Semiconductor s new series of field stop 4th generation of RC IGBTs offer the optimum performance for PFC applications and welder where low conduction www.onsemi.com and switching losses are essential. Features 30 A, 650 V Maximum Junction Temperature TJ = 175 C VCE(sat) = 1.4 V (Typ.)... See More ⇒

Otros transistores... FGA40S65SH , FGA40T65SHD , FGA40T65SHDF , FGA40T65UQDF , FGA5065ADF , FGA50S110P , FGA6530WDF , FGA6540WDF , GT60N321 , FGAF40N60SMD , FGAF40S65AQ , FGB20N60SFD-F085 , FGB3040CS , FGI3040G2-F085 , FGB3040G2-F085 , FGD3040G2-F085 , FGP3040G2-F085 .

History: BSM10GD120DN2_E3224 | MG06100S-BR1MM | BSM200GB170DLC | MG1240H-XBN2MM | CM15TF-12H | BSM200GA120DLC | BSM25GB120DN2

 

 
Back to Top

 


 
.