FGAF30S65AQ - аналоги и описание IGBT

 

FGAF30S65AQ - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: FGAF30S65AQ

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 29 pF

Тип корпуса: TO3PF

 Аналог (замена) для FGAF30S65AQ

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGAF30S65AQ даташит

 ..1. Size:294K  onsemi
 fgaf30s65aq.pdf pdf_icon

FGAF30S65AQ

Field Stop Trench IGBT, 30 A, 650 V FGAF30S65AQ Using novel field stop IGBT technology, ON Semiconductor s new series of field stop 4th generation of RC IGBTs offer the optimum performance for PFC applications and welder where low conduction www.onsemi.com and switching losses are essential. Features 30 A, 650 V Maximum Junction Temperature TJ = 175 C VCE(sat) = 1.4 V (Typ.)

Другие IGBT... FGA40S65SH , FGA40T65SHD , FGA40T65SHDF , FGA40T65UQDF , FGA5065ADF , FGA50S110P , FGA6530WDF , FGA6540WDF , GT60N321 , FGAF40N60SMD , FGAF40S65AQ , FGB20N60SFD-F085 , FGB3040CS , FGI3040G2-F085 , FGB3040G2-F085 , FGD3040G2-F085 , FGP3040G2-F085 .

History: SKM200GAY173D | 6MBP100VDA120-50 | SKM400GAL124D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.