Справочник IGBT. FGAF30S65AQ

 

FGAF30S65AQ - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGAF30S65AQ
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 83
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.4
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.6
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 6
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 29
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 58
   Тип корпуса: TO3PF

 Аналог (замена) для FGAF30S65AQ

 

 

FGAF30S65AQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:294K  onsemi
 fgaf30s65aq.pdf

FGAF30S65AQ FGAF30S65AQ

Field Stop Trench IGBT, 30 A, 650 VFGAF30S65AQUsing novel field stop IGBT technology, ON Semiconductors newseries of field stop 4th generation of RC IGBTs offer the optimumperformance for PFC applications and welder where low conductionwww.onsemi.comand switching losses are essential.Features30 A, 650 V Maximum Junction Temperature: TJ = 175CVCE(sat) = 1.4 V (Typ.)

Другие IGBT... FGA40S65SH , FGA40T65SHD , FGA40T65SHDF , FGA40T65UQDF , FGA5065ADF , FGA50S110P , FGA6530WDF , FGA6540WDF , YGW40N65F1A1 , FGAF40N60SMD , FGAF40S65AQ , FGB20N60SFD-F085 , FGB3040CS , FGI3040G2-F085 , FGB3040G2-F085 , FGD3040G2-F085 , FGP3040G2-F085 .

 

 
Back to Top