FGB5N60UNDF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGB5N60UNDF
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 73.5
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 10
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.9
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 8.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 1.9
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 28
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 12.1
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de FGB5N60UNDF - IGBT
FGB5N60UNDF Datasheet (PDF)
fgb5n60undf.pdf
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Liste
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