FGB5N60UNDF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGB5N60UNDF
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 73.5 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 1.9 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 28 pF
Encapsulados: D2PAK
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FGB5N60UNDF datasheet
fgb5n60undf.pdf
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