Справочник IGBT. FGB5N60UNDF

 

FGB5N60UNDF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGB5N60UNDF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73.5 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 1.9 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 28 pF
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для FGB5N60UNDF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGB5N60UNDF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  onsemi
 fgb5n60undf.pdf pdf_icon

FGB5N60UNDF

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... FGP3040G2-F085 , FGB3056-F085 , FGB3236-F085 , FGI3236-F085 , FGB3440G2-F085 , FGD3440G2-F085 , FGP3440G2-F085 , FGB40T65SPD-F085 , NCE80TD65BT , FGB7N60UNDF , FGD2736G3-F085 , FGD2736G3-F085V , FGD3040G2-F085C , FGB3040G2-F085C , FGD3040G2-F085V , FGD3050G2 , FGD3050G2V .

History: IXGA30N60C3 | IRG4BC30K-S | VS-GT100TP60N | 2SH31 | VS-GT105LA120UX | 2PG009 | NGTB30N65IHL2

 

 
Back to Top

 


 
.