2SH17 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SH17
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 50 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 75 nS
Paquete / Cubierta: TO220AB
- Selección de transistores por parámetros
2SH17 Datasheet (PDF)
2sh17.pdf

ADE208290 (Z)2SH17Silicon N-Channel IGBT1st. EditionFeb. 1995ApplicationTO220ABHigh speed power switchingFeatures2 High speed switching Low on saturation voltage11. Gate12. Collector233. Emitter3Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings Unit
Otros transistores... 2PG401 , 2PG402 , 2SH11 , 2SH12 , 2SH13 , 2SH14 , 2SH15 , 2SH16 , STGB10NB37LZ , 2SH18 , 2SH19 , 2SH20 , 2SH21 , 2SH22 , 2SH26 , 2SH27 , 2SH28 .
History: APTGF300U60D4 | FGPF4565 | APT33GF120B2RD | 4MBI400VG-060R-50 | IXGC16N60B2D1 | SKM200GAR173D | SM2G100US60
History: APTGF300U60D4 | FGPF4565 | APT33GF120B2RD | 4MBI400VG-060R-50 | IXGC16N60B2D1 | SKM200GAR173D | SM2G100US60



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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