2SH17 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: 2SH17
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 75 nS
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для 2SH17
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
2SH17 даташит
Другие IGBT... 2PG401 , 2PG402 , 2SH11 , 2SH12 , 2SH13 , 2SH14 , 2SH15 , 2SH16 , GT30F133 , 2SH18 , 2SH19 , 2SH20 , 2SH21 , 2SH22 , 2SH26 , 2SH27 , 2SH28 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g | irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250