FGD3325G2-F085 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FGD3325G2-F085
   Tipo de transistor: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 250 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 10 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 41 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.15 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 2.2 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 1200 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 21 nC
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección ⓘ de transistores por parámetros