FGD3325G2-F085 - аналоги и описание IGBT

 

FGD3325G2-F085 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: FGD3325G2-F085

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 250 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 10 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 41 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.15 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 1200 nS

Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для FGD3325G2-F085

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGD3325G2-F085 даташит

 ..1. Size:732K  onsemi
 fgd3325g2-f085.pdf pdf_icon

FGD3325G2-F085

ON Semiconductor Is Now To learn more about onsemi , please visit our website at www.onsemi.com onsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,

Другие IGBT... FGB3040G2-F085C , FGD3040G2-F085V , FGD3050G2 , FGD3050G2V , FGD3245G2-F085 , FGB3245G2-F085 , FGD3245G2-F085C , FGD3245G2-F085V , FGD4536 , FGD3440G2-F085V , FGD3N60UNDF , FGD5T120SH , FGH12040WD , FGH15T120SMD , FGH20N60SFDTU , FGH20N60SFDTU-F085 , FGH30S150P .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.