Справочник IGBT. FGD3325G2-F085

 

FGD3325G2-F085 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGD3325G2-F085
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 250 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 10 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 41 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.15 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 2.2 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 1200 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 21 nC
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для FGD3325G2-F085

 

 

FGD3325G2-F085 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:732K  onsemi
 fgd3325g2-f085.pdf

FGD3325G2-F085 FGD3325G2-F085

ON SemiconductorIs NowTo learn more about onsemi, please visit our website at www.onsemi.comonsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top