Справочник IGBT. FGD3325G2-F085

 

FGD3325G2-F085 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGD3325G2-F085
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 250 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 10 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 41 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.15 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 2.2 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 1200 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 21 nC
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для FGD3325G2-F085

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGD3325G2-F085 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:732K  onsemi
 fgd3325g2-f085.pdf pdf_icon

FGD3325G2-F085

ON SemiconductorIs NowTo learn more about onsemi, please visit our website at www.onsemi.comonsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,

Другие IGBT... FGB3040G2-F085C , FGD3040G2-F085V , FGD3050G2 , FGD3050G2V , FGD3245G2-F085 , FGB3245G2-F085 , FGD3245G2-F085C , FGD3245G2-F085V , FGPF4536 , FGD3440G2-F085V , FGD3N60UNDF , FGD5T120SH , FGH12040WD , FGH15T120SMD , FGH20N60SFDTU , FGH20N60SFDTU-F085 , FGH30S150P .

History: F3L15R12W2H3_B27 | APT200GN60B2G | IXGX50N60BD1

 

 
Back to Top

 


 
.