FGD3325G2-F085 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: FGD3325G2-F085
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 250 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 10 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 41 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.15 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 2.2 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 1200 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 21 nC
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор IGBT транзистора по параметрам