FGH15T120SMD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGH15T120SMD
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 333 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 47 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 65 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 128 nC
Paquete / Cubierta: TO247
- Selección de transistores por parámetros
FGH15T120SMD Datasheet (PDF)
..1. Size:776K onsemi
fgh15t120smd.pdf
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FGH15T120SMD1200 V15 A IGBT IGBT IGBT UPS PFC FS VCE(sat) =1.8 V @ IC=15 A ILM(1) 100%
Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: APT75GN120J | IXGX28N140B3H1 | IXBX25N250
History: APT75GN120J | IXGX28N140B3H1 | IXBX25N250
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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