Справочник IGBT. FGH15T120SMD

 

FGH15T120SMD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGH15T120SMD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 47 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 128 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для FGH15T120SMD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGH15T120SMD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:776K  onsemi
 fgh15t120smd.pdf pdf_icon

FGH15T120SMD

FGH15T120SMD1200 V15 A IGBT IGBT IGBT UPS PFC FS VCE(sat) =1.8 V @ IC=15 A ILM(1) 100%

Другие IGBT... FGB3245G2-F085 , FGD3245G2-F085C , FGD3245G2-F085V , FGD3325G2-F085 , FGD3440G2-F085V , FGD3N60UNDF , FGD5T120SH , FGH12040WD , SGT50T65FD1PT , FGH20N60SFDTU , FGH20N60SFDTU-F085 , FGH30S150P , FGH40N60SFDTU , FGH40N60SFDTU-F085 , FGH40N60SMD-F085 , FGH40N60SMDF-F085 , FGH40N65UFDTU .

History: IRGB4630DPBF | IXGH48N60A3 | AOK30B60D1 | APT150GN60JDQ4 | FGD3040G2-F085 | NCE07TD60BF | CM1800HC-34N

 

 
Back to Top

 


 
.