FGH15T120SMD - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: FGH15T120SMD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 47 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для FGH15T120SMD
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
FGH15T120SMD даташит
Другие IGBT... FGB3245G2-F085 , FGD3245G2-F085C , FGD3245G2-F085V , FGD3325G2-F085 , FGD3440G2-F085V , FGD3N60UNDF , FGD5T120SH , FGH12040WD , SGT50T65FD1PT , FGH20N60SFDTU , FGH20N60SFDTU-F085 , FGH30S150P , FGH40N60SFDTU , FGH40N60SFDTU-F085 , FGH40N60SMD-F085 , FGH40N60SMDF-F085 , FGH40N65UFDTU .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907