FGH15T120SMD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: FGH15T120SMD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 47 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для FGH15T120SMD

 

 

FGH15T120SMD Datasheet (PDF)

Другие IGBT... FGB3245G2-F085 , FGD3245G2-F085C , FGD3245G2-F085V , FGD3325G2-F085 , FGD3440G2-F085V , FGD3N60UNDF , FGD5T120SH , FGH12040WD , RJP30E2DPP-M0 , FGH20N60SFDTU , FGH20N60SFDTU-F085 , FGH30S150P , FGH40N60SFDTU , FGH40N60SFDTU-F085 , FGH40N60SMD-F085 , FGH40N60SMDF-F085 , FGH40N65UFDTU .