FGH40T65SHD-F155 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGH40T65SHD-F155
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 268
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 80
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.6
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 34.4
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 70
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 72.2
Paquete / Cubierta: TO247
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FGH40T65SHD-F155 Datasheet (PDF)
fgh40t65shdf.pdf
May 2014FGH40T65SHDF650 V, 40 A Field Stop Trench IGBTFeatures General Description Maximum Junction Temperature : TJ = 175oC Using novel field stop IGBT technology, Fairchilds new series offield stop 3rd generation IGBTs offer superior conduction and Positive Temperaure Co-efficient for Easy Parallel Operatingswitching performance and easy parallel operation. This device
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Liste
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