FGH40T65SHD-F155 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FGH40T65SHD-F155
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 268
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 34.4
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 70
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 72.2
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для FGH40T65SHD-F155
FGH40T65SHD-F155 Datasheet (PDF)
fgh40t65shdf.pdf
May 2014FGH40T65SHDF650 V, 40 A Field Stop Trench IGBTFeatures General Description Maximum Junction Temperature : TJ = 175oC Using novel field stop IGBT technology, Fairchilds new series offield stop 3rd generation IGBTs offer superior conduction and Positive Temperaure Co-efficient for Easy Parallel Operatingswitching performance and easy parallel operation. This device
Другие IGBT... FGH40N65UFDTU , FGH40N65UFDTU-F085 , FGH40T100SMD , FGH40T120SMD-F155 , FGH40T120SMDL4 , FGH40T120SQDNL4 , FGH40T65SH , FGH40T65SHDF , RJH30E2DPP , FGH40T65SPD-F085 , FGH40T65SQD , FGH40T65UPD , FGH40T65UQDF , FGH40T70SHD , FGH50T65UPD , FGH60N60SFDTU-F085 , FGH60N60UFDTU-F085 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ