FGP10N60UNDF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGP10N60UNDF
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 139
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 20
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 8.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 6.3
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 65
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 37
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de FGP10N60UNDF - IGBT
FGP10N60UNDF Datasheet (PDF)
fgp10n60undf.pdf
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