Справочник IGBT. FGP10N60UNDF

 

FGP10N60UNDF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGP10N60UNDF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6.3 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 37 nC
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FGP10N60UNDF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGP10N60UNDF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  onsemi
 fgp10n60undf.pdf pdf_icon

FGP10N60UNDF

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... FGHL40T65MQD , FGHL50T65MQD , FGHL50T65MQDT , FGHL50T65SQ , FGHL50T65SQDT , FGHL75T65LQDT , FGHL75T65MQD , FGHL75T65MQDT , YGW40N65F1 , FGP15N60UNDF , FGPF15N60UNDF , FGPF4565 , FGY100T65SCDT , FGY120T65SPD-F085 , FGY40T120SMD , FGY60T120SQDN , FGY75T120SQDN .

History: 2MBI150U4A-120 | SKM400GAL062D

 

 
Back to Top

 


 
.