FGP10N60UNDF - аналоги и описание IGBT

 

FGP10N60UNDF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: FGP10N60UNDF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6.3 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для FGP10N60UNDF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGP10N60UNDF даташит

 ..1. Size:326K  onsemi
 fgp10n60undf.pdf pdf_icon

FGP10N60UNDF

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... FGHL40T65MQD , FGHL50T65MQD , FGHL50T65MQDT , FGHL50T65SQ , FGHL50T65SQDT , FGHL75T65LQDT , FGHL75T65MQD , FGHL75T65MQDT , IKW30N60H3 , FGP15N60UNDF , FGPF15N60UNDF , FGPF4565 , FGY100T65SCDT , FGY120T65SPD-F085 , FGY40T120SMD , FGY60T120SQDN , FGY75T120SQDN .

History: SKM300GAR123D | SKM300GAL063D | SKM400GA062D | SKM300GAR063D | SKM300GAL123D | SMBL1G100US60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.