Справочник IGBT. FGP10N60UNDF

 

FGP10N60UNDF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGP10N60UNDF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 139
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 20
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 8.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 6.3
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 65
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 37
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для FGP10N60UNDF

 

 

FGP10N60UNDF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  onsemi
 fgp10n60undf.pdf

FGP10N60UNDF FGP10N60UNDF

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... FGHL40T65MQD , FGHL50T65MQD , FGHL50T65MQDT , FGHL50T65SQ , FGHL50T65SQDT , FGHL75T65LQDT , FGHL75T65MQD , FGHL75T65MQDT , MGD623S , FGP15N60UNDF , FGPF15N60UNDF , FGPF4565 , FGY100T65SCDT , FGY120T65SPD-F085 , FGY40T120SMD , FGY60T120SQDN , FGY75T120SQDN .

 

 
Back to Top