FGY60T120SQDN Todos los transistores

 

FGY60T120SQDN - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FGY60T120SQDN
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 517 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 84 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 203 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

FGY60T120SQDN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:552K  onsemi
 fgy60t120sqdn.pdf pdf_icon

FGY60T120SQDN

Ultra Field Stop IGBT,1200 V, 60 AFGY60T120SQDNGeneral DescriptionThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Ultra Field Stop Trench construction, and provideswww.onsemi.comsuperior performance in demanding switching applications, offeringboth low on-state voltage and minimal switching loss. The IGBT iswell suited for UPS and solar applic

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History: IXGH36N60B3D4 | APT150GT120JR | NGTB40N120FL2WG | IRG4PC30FPBF | MMG300D170B | CRG15T60A94S | 2MBI150L-120

 

 
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