FGY60T120SQDN - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGY60T120SQDN
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 517 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 84 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 203 pF
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de FGY60T120SQDN IGBT
FGY60T120SQDN Datasheet (PDF)
fgy60t120sqdn.pdf

Ultra Field Stop IGBT,1200 V, 60 AFGY60T120SQDNGeneral DescriptionThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Ultra Field Stop Trench construction, and provideswww.onsemi.comsuperior performance in demanding switching applications, offeringboth low on-state voltage and minimal switching loss. The IGBT iswell suited for UPS and solar applic
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