FGY60T120SQDN - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGY60T120SQDN
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 517
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 25
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 120
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.7
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 84
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 203
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 311
Paquete / Cubierta: TO247
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FGY60T120SQDN Datasheet (PDF)
fgy60t120sqdn.pdf
Ultra Field Stop IGBT,1200 V, 60 AFGY60T120SQDNGeneral DescriptionThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Ultra Field Stop Trench construction, and provideswww.onsemi.comsuperior performance in demanding switching applications, offeringboth low on-state voltage and minimal switching loss. The IGBT iswell suited for UPS and solar applic
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Liste
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