Справочник IGBT. FGY60T120SQDN

 

FGY60T120SQDN - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGY60T120SQDN
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 517 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 84 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 203 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 311 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для FGY60T120SQDN

 

 

FGY60T120SQDN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:552K  onsemi
fgy60t120sqdn.pdf

FGY60T120SQDN
FGY60T120SQDN

Ultra Field Stop IGBT,1200 V, 60 AFGY60T120SQDNGeneral DescriptionThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Ultra Field Stop Trench construction, and provideswww.onsemi.comsuperior performance in demanding switching applications, offeringboth low on-state voltage and minimal switching loss. The IGBT iswell suited for UPS and solar applic

Другие IGBT... FGHL75T65MQDT , FGP10N60UNDF , FGP15N60UNDF , FGPF15N60UNDF , FGPF4565 , FGY100T65SCDT , FGY120T65SPD-F085 , FGY40T120SMD , MBQ50T65FESC , FGY75T120SQDN , FGY75T95LQDT , FGY75T95SQDT , FPF2C110BI07AS2 , FPF2C8P2NL07A , FPF2G120BF07AS , HGT1S7N60A4S9A , ISL9V2040D3S .

 

 
Back to Top