FPF2G120BF07AS IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FPF2G120BF07AS
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 156 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 24 nS
Encapsulados: MODULE
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FPF2G120BF07AS datasheet
fpf2g120bf07as.pdf
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History: AOK40B65H1 | IXXH75N60C3D1
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