FPF2G120BF07AS - аналоги и описание IGBT

 

FPF2G120BF07AS - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: FPF2G120BF07AS

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 24 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для FPF2G120BF07AS

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FPF2G120BF07AS даташит

 ..1. Size:1790K  onsemi
 fpf2g120bf07as.pdf pdf_icon

FPF2G120BF07AS

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... FGY120T65SPD-F085 , FGY40T120SMD , FGY60T120SQDN , FGY75T120SQDN , FGY75T95LQDT , FGY75T95SQDT , FPF2C110BI07AS2 , FPF2C8P2NL07A , NGTB75N65FL2 , HGT1S7N60A4S9A , ISL9V2040D3S , ISL9V2040S3S , ISL9V2040P3 , ISL9V2540S3ST , ISL9V3036D3S , ISL9V3036S3S , ISL9V3036P3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.