Справочник IGBT. FPF2G120BF07AS

 

FPF2G120BF07AS Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FPF2G120BF07AS
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 24 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

FPF2G120BF07AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1790K  onsemi
 fpf2g120bf07as.pdf pdf_icon

FPF2G120BF07AS

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... FGY120T65SPD-F085 , FGY40T120SMD , FGY60T120SQDN , FGY75T120SQDN , FGY75T95LQDT , FGY75T95SQDT , FPF2C110BI07AS2 , FPF2C8P2NL07A , MGD623S , HGT1S7N60A4S9A , ISL9V2040D3S , ISL9V2040S3S , ISL9V2040P3 , ISL9V2540S3ST , ISL9V3036D3S , ISL9V3036S3S , ISL9V3036P3 .

History: MMG150DR120UZK | DM2G150SH6NE | MMG200D120B6UC | CM50YE13-12H | CM100RL-24NF | SKM400GB124D | CM600DXL-24S

 

 
Back to Top

 


 
.