Справочник IGBT. FPF2G120BF07AS

 

FPF2G120BF07AS - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FPF2G120BF07AS
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 156
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.55
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 24
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для FPF2G120BF07AS

 

 

FPF2G120BF07AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1790K  onsemi
 fpf2g120bf07as.pdf

FPF2G120BF07AS FPF2G120BF07AS

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top