NGTB05N60R2DT4G - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NGTB05N60R2DT4G
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: GTB0560R
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 56
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 16
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.65
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 26
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 30
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 30
Paquete / Cubierta: DPAK
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NGTB05N60R2DT4G Datasheet (PDF)
ngtb05n60r2dt4g.pdf
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