NGTB05N60R2DT4G - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: NGTB05N60R2DT4G

Тип транзистора: IGBT + Diode

Маркировка: GTB0560R

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 56

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 16

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175

Время нарастания типовое (tr), nS: 26

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 30

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 30

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NGTB05N60R2DT4G

NGTB05N60R2DT4G Datasheet (PDF)

 0.1. Size:615K  onsemi
 ngtb05n60r2dt4g.pdf

NGTB05N60R2DT4G IGBT www.onsemi.com 600V, 8A, N-Channel Features Electrical Connection Reverse Conducting II IGBT N-Channel IGBT VCE(sat)=1.65V (typ) [IC=5A, VGE=15V] 2,4 IGBT tf=95ns (typ) Diode VF=1.5V (typ) [IF=5A] Diode trr=70ns (typ) 5s Short Circuit Capability 11:Gate2:CollectorApplications 3:Emitter34:Collector Ge

 9.1. Size:596K  onsemi
 ngtb03n60r2dt4g.pdf

NGTB03N60R2DT4G IGBT 600V, 4.5A, N-Channel www.onsemi.com Features Electrical Connection Reverse Conducting II IGBT N-Channel IGBT VCE(sat)=1.7V (typ) [IC=3A, VGE=15V] 2,4 IGBT tf=75ns (typ) Diode VF=1.5V (typ) [IF=3A] Diode trr=65ns (typ) 5s Short Circuit Capability 11:Gate2:CollectorApplications 3:Emitter3 General Pur

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , HCKZ75N65BH2 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .