2A200HB12C2F Todos los transistores

 

2A200HB12C2F - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2A200HB12C2F
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1100 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 294 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.4 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 1400 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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2A200HB12C2F Datasheet (PDF)

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2A200HB12C2F

/ Technical InformationIGBT-2A200HB12C2FIGBT-ModuleV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC nom CRM Typical Applications Motor drives Electrical Features Low switching losses T = 150C T = 150Cvj op vj op Mechanical Features Copper base plateModule

Otros transistores... NGTB05N60R2DT4G , NGTB10N60R2DT4G , NGTB15N135IHRWG , NGTB15N60S1EG , NGTB25N120FL3WG , NGTB40N120L3WG , NGTB40N65FL2WG , NGTG15N60S1EG , BT15T120ANF , 2A300HB12C2F , 2A400HB12C2F , AIGW40N65H5 , AIGW50N65F5 , AIGW50N65H5 , AIHD04N60R , AIHD06N60R , AIHD10N60R .

History: IRG4PH40KDPBF | NGTB50N120FL2 | APT100GT60JRDQ4 | BLG3040-D | MMG600WB170B6E4N | IXSM40N60A | OST60N65HSMF

 

 
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