Справочник IGBT. 2A200HB12C2F

 

2A200HB12C2F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 2A200HB12C2F
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 1100
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 294
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.85
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.4
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 30
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 1400
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для 2A200HB12C2F

 

 

2A200HB12C2F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:977K  infineon
 2a200hb12c2f.pdf

2A200HB12C2F 2A200HB12C2F

/ Technical InformationIGBT-2A200HB12C2FIGBT-ModuleV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC nom CRM Typical Applications Motor drives Electrical Features Low switching losses T = 150C T = 150Cvj op vj op Mechanical Features Copper base plateModule

Другие IGBT... NGTB05N60R2DT4G , NGTB10N60R2DT4G , NGTB15N135IHRWG , NGTB15N60S1EG , NGTB25N120FL3WG , NGTB40N120L3WG , NGTB40N65FL2WG , NGTG15N60S1EG , DG40F12T2 , 2A300HB12C2F , 2A400HB12C2F , AIGW40N65H5 , AIGW50N65F5 , AIGW50N65H5 , AIHD04N60R , AIHD06N60R , AIHD10N60R .

 

 
Back to Top