Справочник IGBT. 2A200HB12C2F

 

2A200HB12C2F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 2A200HB12C2F
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 294 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1400 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для 2A200HB12C2F

 

 

2A200HB12C2F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:977K  infineon
 2a200hb12c2f.pdf

2A200HB12C2F 2A200HB12C2F

/ Technical InformationIGBT-2A200HB12C2FIGBT-ModuleV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC nom CRM Typical Applications Motor drives Electrical Features Low switching losses T = 150C T = 150Cvj op vj op Mechanical Features Copper base plateModule

Другие IGBT... NGTB05N60R2DT4G , NGTB10N60R2DT4G , NGTB15N135IHRWG , NGTB15N60S1EG , NGTB25N120FL3WG , NGTB40N120L3WG , NGTB40N65FL2WG , NGTG15N60S1EG , TGAN40N60FD , 2A300HB12C2F , 2A400HB12C2F , AIGW40N65H5 , AIGW50N65F5 , AIGW50N65H5 , AIHD04N60R , AIHD06N60R , AIHD10N60R .

 

 
Back to Top