2A300HB12C2F - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2A300HB12C2F
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 1450
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 400
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.85
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.4
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 30
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 2100
Paquete / Cubierta: MODULE
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2A300HB12C2F Datasheet (PDF)
2a300hb12c2f.pdf
/ Technical InformationIGBT-2A300HB12C2FIGBT-ModuleV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRM Typical Applications Motor drives Electrical Features Low switching losses T = 150C T = 150Cvj op vj op Mechanical Features Copper base plateModule
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Liste
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