2A300HB12C2F - аналоги и описание IGBT

 

2A300HB12C2F - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: 2A300HB12C2F

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1450 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для 2A300HB12C2F

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

2A300HB12C2F даташит

 ..1. Size:979K  infineon
 2a300hb12c2f.pdf pdf_icon

2A300HB12C2F

/ Technical Information IGBT- 2A300HB12C2F IGBT-Module V = 1200V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Typical Applications Motor drives Electrical Features Low switching losses T = 150 C T = 150 C vj op vj op Mechanical Features Copper base plate Module

Другие IGBT... NGTB10N60R2DT4G , NGTB15N135IHRWG , NGTB15N60S1EG , NGTB25N120FL3WG , NGTB40N120L3WG , NGTB40N65FL2WG , NGTG15N60S1EG , 2A200HB12C2F , GT30F124 , 2A400HB12C2F , AIGW40N65H5 , AIGW50N65F5 , AIGW50N65H5 , AIHD04N60R , AIHD06N60R , AIHD10N60R , AIHD15N60R .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.