Справочник IGBT. 2A300HB12C2F

 

2A300HB12C2F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 2A300HB12C2F
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 1450
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 400
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.85
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 30
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для 2A300HB12C2F

 

 

2A300HB12C2F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:979K  infineon
 2a300hb12c2f.pdf

2A300HB12C2F 2A300HB12C2F

/ Technical InformationIGBT-2A300HB12C2FIGBT-ModuleV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRM Typical Applications Motor drives Electrical Features Low switching losses T = 150C T = 150Cvj op vj op Mechanical Features Copper base plateModule

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top