Справочник IGBT. 2A300HB12C2F

 

2A300HB12C2F Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 2A300HB12C2F
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1450 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для 2A300HB12C2F

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

2A300HB12C2F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:979K  infineon
 2a300hb12c2f.pdf pdf_icon

2A300HB12C2F

/ Technical InformationIGBT-2A300HB12C2FIGBT-ModuleV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRM Typical Applications Motor drives Electrical Features Low switching losses T = 150C T = 150Cvj op vj op Mechanical Features Copper base plateModule

Другие IGBT... NGTB10N60R2DT4G , NGTB15N135IHRWG , NGTB15N60S1EG , NGTB25N120FL3WG , NGTB40N120L3WG , NGTB40N65FL2WG , NGTG15N60S1EG , 2A200HB12C2F , GT30F124 , 2A400HB12C2F , AIGW40N65H5 , AIGW50N65F5 , AIGW50N65H5 , AIHD04N60R , AIHD06N60R , AIHD10N60R , AIHD15N60R .

History: RJP4301APP-M0 | AP30G100W | TGAN20N120FD

 

 
Back to Top

 


 
.