2A400HB12C2F - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2A400HB12C2F
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 2100
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 565
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.85
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.4
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 40
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 2800
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de 2A400HB12C2F - IGBT
2A400HB12C2F Datasheet (PDF)
2a400hb12c2f.pdf
/ Technical InformationIGBT-2A400HB12C2FIGBT-ModuleV = 1200VCESI = 400A / I = 800AC nom CRM Typical Applications Motor drives Electrical Features Low switching losses T = 150C T = 150Cvj op vj op Mechanical Features Copper base plateModule
mhpm2a400.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MHPM2A400A60M/DMHPM2A400A60MPreliminary Data SheetHybrid Power ModuleHigh Current IGBT Module400 AMP, 600 VOLT HYBRID POWER MODULE 400 Amp, 600 Volt IGBT HalfBridge Low OnVoltage, High Speed IGBTs Excellent Short Circuit Capability Fast Soft Recovery Diodes Low Inductance PackageM6 bolts
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Liste
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