2A400HB12C2F IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2A400HB12C2F
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 565 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Encapsulados: MODULE
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2A400HB12C2F datasheet
2a400hb12c2f.pdf
/ Technical Information IGBT- 2A400HB12C2F IGBT-Module V = 1200V CES I = 400A / I = 800A C nom CRM Typical Applications Motor drives Electrical Features Low switching losses T = 150 C T = 150 C vj op vj op Mechanical Features Copper base plate Module
mhpm2a400.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MHPM2A400A60M/D MHPM2A400A60M Preliminary Data Sheet Hybrid Power Module High Current IGBT Module 400 AMP, 600 VOLT HYBRID POWER MODULE 400 Amp, 600 Volt IGBT Half Bridge Low On Voltage, High Speed IGBTs Excellent Short Circuit Capability Fast Soft Recovery Diodes Low Inductance Package M6 bolts
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