2A400HB12C2F - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2A400HB12C2F
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 565 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.4 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 2800 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de 2A400HB12C2F - IGBT
2A400HB12C2F Datasheet (PDF)
2a400hb12c2f.pdf
/ Technical InformationIGBT-2A400HB12C2FIGBT-ModuleV = 1200VCESI = 400A / I = 800AC nom CRM Typical Applications Motor drives Electrical Features Low switching losses T = 150C T = 150Cvj op vj op Mechanical Features Copper base plateModule
mhpm2a400.pdf
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Liste
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