Справочник IGBT. 2A400HB12C2F

 

2A400HB12C2F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 2A400HB12C2F
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 565 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 2800 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для 2A400HB12C2F

 

 

2A400HB12C2F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:981K  infineon
 2a400hb12c2f.pdf

2A400HB12C2F 2A400HB12C2F

/ Technical InformationIGBT-2A400HB12C2FIGBT-ModuleV = 1200VCESI = 400A / I = 800AC nom CRM Typical Applications Motor drives Electrical Features Low switching losses T = 150C T = 150Cvj op vj op Mechanical Features Copper base plateModule

 9.1. Size:87K  motorola
 mhpm2a400.pdf

2A400HB12C2F 2A400HB12C2F

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MHPM2A400A60M/DMHPM2A400A60MPreliminary Data SheetHybrid Power ModuleHigh Current IGBT Module400 AMP, 600 VOLT HYBRID POWER MODULE 400 Amp, 600 Volt IGBT HalfBridge Low OnVoltage, High Speed IGBTs Excellent Short Circuit Capability Fast Soft Recovery Diodes Low Inductance PackageM6 bolts

Другие IGBT... NGTB15N135IHRWG , NGTB15N60S1EG , NGTB25N120FL3WG , NGTB40N120L3WG , NGTB40N65FL2WG , NGTG15N60S1EG , 2A200HB12C2F , 2A300HB12C2F , RJP63K2DPP-M0 , AIGW40N65H5 , AIGW50N65F5 , AIGW50N65H5 , AIHD04N60R , AIHD06N60R , AIHD10N60R , AIHD15N60R , AIHD15N60RF .

 

 
Back to Top