2A400HB12C2F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: 2A400HB12C2F
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 2100
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 565
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.85
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 40
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для 2A400HB12C2F
2A400HB12C2F Datasheet (PDF)
2a400hb12c2f.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
/ Technical InformationIGBT-2A400HB12C2FIGBT-ModuleV = 1200VCESI = 400A / I = 800AC nom CRM Typical Applications Motor drives Electrical Features Low switching losses T = 150C T = 150Cvj op vj op Mechanical Features Copper base plateModule
mhpm2a400.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MHPM2A400A60M/DMHPM2A400A60MPreliminary Data SheetHybrid Power ModuleHigh Current IGBT Module400 AMP, 600 VOLT HYBRID POWER MODULE 400 Amp, 600 Volt IGBT HalfBridge Low OnVoltage, High Speed IGBTs Excellent Short Circuit Capability Fast Soft Recovery Diodes Low Inductance PackageM6 bolts
Другие IGBT... NGTB15N135IHRWG , NGTB15N60S1EG , NGTB25N120FL3WG , NGTB40N120L3WG , NGTB40N65FL2WG , NGTG15N60S1EG , 2A200HB12C2F , 2A300HB12C2F , FGH40N60UFD , AIGW40N65H5 , AIGW50N65F5 , AIGW50N65H5 , AIHD04N60R , AIHD06N60R , AIHD10N60R , AIHD15N60R , AIHD15N60RF .
![2A400HB12C2F](https://alltransistors.com/images/us.png)
![2A400HB12C2F](https://alltransistors.com/images/es.png)
![2A400HB12C2F](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ