2A400HB12C2F - аналоги и описание IGBT

 

2A400HB12C2F - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: 2A400HB12C2F

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 565 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для 2A400HB12C2F

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

2A400HB12C2F даташит

 ..1. Size:981K  infineon
 2a400hb12c2f.pdf pdf_icon

2A400HB12C2F

/ Technical Information IGBT- 2A400HB12C2F IGBT-Module V = 1200V CES I = 400A / I = 800A C nom CRM Typical Applications Motor drives Electrical Features Low switching losses T = 150 C T = 150 C vj op vj op Mechanical Features Copper base plate Module

 9.1. Size:87K  motorola
 mhpm2a400.pdf pdf_icon

2A400HB12C2F

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MHPM2A400A60M/D MHPM2A400A60M Preliminary Data Sheet Hybrid Power Module High Current IGBT Module 400 AMP, 600 VOLT HYBRID POWER MODULE 400 Amp, 600 Volt IGBT Half Bridge Low On Voltage, High Speed IGBTs Excellent Short Circuit Capability Fast Soft Recovery Diodes Low Inductance Package M6 bolts

Другие IGBT... NGTB15N135IHRWG , NGTB15N60S1EG , NGTB25N120FL3WG , NGTB40N120L3WG , NGTB40N65FL2WG , NGTG15N60S1EG , 2A200HB12C2F , 2A300HB12C2F , RJP63K2DPP-M0 , AIGW40N65H5 , AIGW50N65F5 , AIGW50N65H5 , AIHD04N60R , AIHD06N60R , AIHD10N60R , AIHD15N60R , AIHD15N60RF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.