AIGW50N65H5 Todos los transistores

 

AIGW50N65H5 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AIGW50N65H5
   Tipo de transistor: IGBT
   Código de marcado: AG50EH5
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 270 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.66 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 4.8 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 12 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 54 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 116 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

AIGW50N65H5 Datasheet (PDF)

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AIGW50N65H5

AIGW50N65H5High speed switching series fifth generationHigh speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyFeatures and Benefits: C High speed H5 technology offering: Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies Plug and play replacement of previous generation IGBTs 650V breakdown voltage G Low gate charge Q EG Maximum junction temperature

 5.1. Size:1788K  infineon
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AIGW50N65H5

AIGW50N65F5High speed switching series fifth generationHigh speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyFeatures and Benefits: C High speed F5 technology offering: Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies 650V breakdown voltage Low gate charge Q GG Maximum junction temperature 175C E Dynamically stress tested Qualified accord

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History: STGB18N40LZT4 | IXGK50N60B2D1 | IXSA16N60

 

 
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