AIGW50N65H5 - аналоги и описание IGBT

 

AIGW50N65H5 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AIGW50N65H5

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.66 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 12 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 54 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для AIGW50N65H5

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AIGW50N65H5 даташит

 ..1. Size:1782K  infineon
 aigw50n65h5.pdf pdf_icon

AIGW50N65H5

AIGW50N65H5 High speed switching series fifth generation High speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology Features and Benefits C High speed H5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies Plug and play replacement of previous generation IGBTs 650V breakdown voltage G Low gate charge Q E G Maximum junction temperature

 5.1. Size:1788K  infineon
 aigw50n65f5.pdf pdf_icon

AIGW50N65H5

AIGW50N65F5 High speed switching series fifth generation High speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology Features and Benefits C High speed F5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies 650V breakdown voltage Low gate charge Q G G Maximum junction temperature 175 C E Dynamically stress tested Qualified accord

Другие IGBT... NGTB40N120L3WG , NGTB40N65FL2WG , NGTG15N60S1EG , 2A200HB12C2F , 2A300HB12C2F , 2A400HB12C2F , AIGW40N65H5 , AIGW50N65F5 , FGH40N60SFD , AIHD04N60R , AIHD06N60R , AIHD10N60R , AIHD15N60R , AIHD15N60RF , AIKB20N60CT , AIKP20N60CT , AIKQ100N60CT .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.