AIKW30N60CT Todos los transistores

 

AIKW30N60CT - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AIKW30N60CT
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 187 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 21 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 108 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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AIKW30N60CT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1976K  infineon
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AIKW30N60CT

AIKW30N60CTTRENCHSTOPTM SeriesLow Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technologywith soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diodeCFeatures: Automotive AEC-Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low V 1.5V (typ.)CE(sat) Maximum junction temperature 175CG Dynamically stress testedE Shor

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History: DIM800FSM17-A | MIXA600CF650TSF | MMG75S120B6UN | SRE60N065FSU | XP015PJE120AT1B1 | CM150DX-24A | BLG20T65FDLA-B

 

 
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