AIKW30N60CT - аналоги и описание IGBT

 

AIKW30N60CT - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AIKW30N60CT

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 21 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 108 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для AIKW30N60CT

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AIKW30N60CT даташит

 ..1. Size:1976K  infineon
 aikw30n60ct.pdf pdf_icon

AIKW30N60CT

AIKW30N60CT TRENCHSTOPTM Series Low Loss DuoPack IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode C Features Automotive AEC-Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low V 1.5V (typ.) CE(sat) Maximum junction temperature 175 C G Dynamically stress tested E Shor

Другие IGBT... AIHD10N60R , AIHD15N60R , AIHD15N60RF , AIKB20N60CT , AIKP20N60CT , AIKQ100N60CT , AIKQ120N60CT , AIKW20N60CT , CRG40T60AN3H , AIKW40N65DF5 , AIKW40N65DH5 , AIKW50N60CT , AIKW50N65DF5 , AIKW50N65DH5 , AIKW75N60CT , AUIRGP4062D-E , AUIRGP4063D-E .

History: AIKP20N60CT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.