Справочник IGBT. AIKW30N60CT

 

AIKW30N60CT Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AIKW30N60CT
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: AK30DCT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 21 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 108 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 167 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для AIKW30N60CT

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AIKW30N60CT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1976K  infineon
 aikw30n60ct.pdf pdf_icon

AIKW30N60CT

AIKW30N60CTTRENCHSTOPTM SeriesLow Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technologywith soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diodeCFeatures: Automotive AEC-Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low V 1.5V (typ.)CE(sat) Maximum junction temperature 175CG Dynamically stress testedE Shor

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.