Справочник IGBT. AIKW30N60CT

 

AIKW30N60CT Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AIKW30N60CT
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 21 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 108 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для AIKW30N60CT

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AIKW30N60CT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1976K  infineon
aikw30n60ct.pdfpdf_icon

AIKW30N60CT

AIKW30N60CTTRENCHSTOPTM SeriesLow Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technologywith soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diodeCFeatures: Automotive AEC-Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low V 1.5V (typ.)CE(sat) Maximum junction temperature 175CG Dynamically stress testedE Shor

Другие IGBT... AIHD10N60R , AIHD15N60R , AIHD15N60RF , AIKB20N60CT , AIKP20N60CT , AIKQ100N60CT , AIKQ120N60CT , AIKW20N60CT , SGT40N60NPFDPN , AIKW40N65DF5 , AIKW40N65DH5 , AIKW50N60CT , AIKW50N65DF5 , AIKW50N65DH5 , AIKW75N60CT , AUIRGP4062D-E , AUIRGP4063D-E .

History: STGWT60V60DF | IXGH16N170A | IKW60N60H3 | JT030N065F7PD1E | JT015N065CED

 

 
Back to Top

 


 
.