AIKW40N65DH5 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AIKW40N65DH5
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: AK40EDH5
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 74 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.66 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 4.8 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 11 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 43 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 92 nC
Paquete / Cubierta: TO247
- Selección de transistores por parámetros
AIKW40N65DH5 Datasheet (PDF)
aikw40n65dh5.pdf
AIKW40N65DH5High speed switching series fifth generationHigh speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked withRAPID 1 fast and soft antiparallel diodeCFeatures and Benefits: High speed H5 technology offering: Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies Plug and play replacement of previous generation IGBTsG 650V breakdown voltageE
aikw40n65df5.pdf
AIKW40N65DF5High speed switching series fifth generationHigh speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked withRAPID 1 fast and soft antiparallel diodeCFeatures and Benefits: High speed F5 technology offering: Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies 650V breakdown voltageG Low gate charge QGE IGBT copacked with RAPID 1 f
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History: IXGT72N60B3 | AIKW50N60CT | FGA5065ADF
History: IXGT72N60B3 | AIKW50N60CT | FGA5065ADF
Liste
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