AIKW40N65DH5 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AIKW40N65DH5
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 74 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.66 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 11 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 43 pF
Encapsulados: TO247
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AIKW40N65DH5 datasheet
aikw40n65dh5.pdf
AIKW40N65DH5 High speed switching series fifth generation High speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode C Features and Benefits High speed H5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies Plug and play replacement of previous generation IGBTs G 650V breakdown voltage E
aikw40n65df5.pdf
AIKW40N65DF5 High speed switching series fifth generation High speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode C Features and Benefits High speed F5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies 650V breakdown voltage G Low gate charge Q G E IGBT copacked with RAPID 1 f
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History: AUIRGPS4070D0
History: AUIRGPS4070D0
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