AIKW40N65DH5 - аналоги и описание IGBT

 

AIKW40N65DH5 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AIKW40N65DH5

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 74 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.66 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 11 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 43 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для AIKW40N65DH5

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AIKW40N65DH5 даташит

 ..1. Size:1996K  infineon
 aikw40n65dh5.pdf pdf_icon

AIKW40N65DH5

AIKW40N65DH5 High speed switching series fifth generation High speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode C Features and Benefits High speed H5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies Plug and play replacement of previous generation IGBTs G 650V breakdown voltage E

 4.1. Size:1992K  infineon
 aikw40n65df5.pdf pdf_icon

AIKW40N65DH5

AIKW40N65DF5 High speed switching series fifth generation High speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode C Features and Benefits High speed F5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies 650V breakdown voltage G Low gate charge Q G E IGBT copacked with RAPID 1 f

Другие IGBT... AIHD15N60RF , AIKB20N60CT , AIKP20N60CT , AIKQ100N60CT , AIKQ120N60CT , AIKW20N60CT , AIKW30N60CT , AIKW40N65DF5 , RJP30E2DPP-M0 , AIKW50N60CT , AIKW50N65DF5 , AIKW50N65DH5 , AIKW75N60CT , AUIRGP4062D-E , AUIRGP4063D-E , AUIRGPS4070D0 , BSM150GB60QQQ .

History: AIKW50N65DF5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.