Справочник IGBT. AIKW40N65DH5

 

AIKW40N65DH5 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AIKW40N65DH5
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 74 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.66 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 11 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 43 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

AIKW40N65DH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1996K  infineon
 aikw40n65dh5.pdf pdf_icon

AIKW40N65DH5

AIKW40N65DH5High speed switching series fifth generationHigh speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked withRAPID 1 fast and soft antiparallel diodeCFeatures and Benefits: High speed H5 technology offering: Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies Plug and play replacement of previous generation IGBTsG 650V breakdown voltageE

 4.1. Size:1992K  infineon
 aikw40n65df5.pdf pdf_icon

AIKW40N65DH5

AIKW40N65DF5High speed switching series fifth generationHigh speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked withRAPID 1 fast and soft antiparallel diodeCFeatures and Benefits: High speed F5 technology offering: Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies 650V breakdown voltageG Low gate charge QGE IGBT copacked with RAPID 1 f

Другие IGBT... AIHD15N60RF , AIKB20N60CT , AIKP20N60CT , AIKQ100N60CT , AIKQ120N60CT , AIKW20N60CT , AIKW30N60CT , AIKW40N65DF5 , BT40T60ANF , AIKW50N60CT , AIKW50N65DF5 , AIKW50N65DH5 , AIKW75N60CT , AUIRGP4062D-E , AUIRGP4063D-E , AUIRGPS4070D0 , BSM150GB60DLC .

History: IXGJ40N60C2D1 | FGA5065ADF | HIA30N60BP | AIKW50N60CT | IXGT72N60B3 | AIHD15N60R

 

 
Back to Top

 


 
.