AIKW75N60CT Todos los transistores

 

AIKW75N60CT - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AIKW75N60CT
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: AK75DCT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 428 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 288 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 470 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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AIKW75N60CT Datasheet (PDF)

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AIKW75N60CT

AIKW75N60CTTRENCHSTOPTM SeriesLow Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technologywith soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diodeCFeatures: Automotive AEC-Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low V 1.5V (typ.)CE(sat) Maximum junction temperature 175CG Dynamically stress testedE Shor

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History: 2MBI225U4N-170-50 | STGWA30H60DFB | IXXK200N60B3

 

 
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