AIKW75N60CT - аналоги и описание IGBT

 

AIKW75N60CT - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AIKW75N60CT

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 428 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 288 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для AIKW75N60CT

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AIKW75N60CT даташит

 ..1. Size:1972K  infineon
 aikw75n60ct.pdf pdf_icon

AIKW75N60CT

AIKW75N60CT TRENCHSTOPTM Series Low Loss DuoPack IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode C Features Automotive AEC-Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low V 1.5V (typ.) CE(sat) Maximum junction temperature 175 C G Dynamically stress tested E Shor

Другие IGBT... AIKQ120N60CT , AIKW20N60CT , AIKW30N60CT , AIKW40N65DF5 , AIKW40N65DH5 , AIKW50N60CT , AIKW50N65DF5 , AIKW50N65DH5 , FGA60N65SMD , AUIRGP4062D-E , AUIRGP4063D-E , AUIRGPS4070D0 , BSM150GB60QQQ , DDB2U30N08VR , DDB6U134N16RR-B11 , DDB6U180N16RR-B11 , DDB6U30N08VR .

History: MG75Q1BS11 | IKB40N65EF5 | MII150-12A4 | MP6752 | AUIRGP4063D-E | MIAA20WB600TMH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.