DDB2U30N08VR - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DDB2U30N08VR
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 83.5 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de DDB2U30N08VR - IGBT
DDB2U30N08VR Datasheet (PDF)
ddb2u30n08vr.pdf
Technische Information / technical informationIGBT-ModuleDDB2U30N08VRIGBT-modulesDiode-Gleichrichter / diode-rectifier Vorlufige Daten / preliminary dataHchstzulssige Werte / maximum rated valuesPeriodische Rckw. SpitzensperrspannungT = 25C V 800 Vrepetitive peak reverse voltageDurchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio.T = 80C I 48 Aforward current RMS maximum p
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Liste
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