DDB2U30N08VR - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DDB2U30N08VR
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 83.5
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 25
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.95
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 20
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de DDB2U30N08VR - IGBT
DDB2U30N08VR Datasheet (PDF)
ddb2u30n08vr.pdf
Technische Information / technical informationIGBT-ModuleDDB2U30N08VRIGBT-modulesDiode-Gleichrichter / diode-rectifier Vorlufige Daten / preliminary dataHchstzulssige Werte / maximum rated valuesPeriodische Rckw. SpitzensperrspannungT = 25C V 800 Vrepetitive peak reverse voltageDurchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio.T = 80C I 48 Aforward current RMS maximum p
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Liste
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IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ