Справочник IGBT. DDB2U30N08VR

 

DDB2U30N08VR - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DDB2U30N08VR
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 83.5
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 25
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.95
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Время нарастания типовое (tr), nS: 20
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для DDB2U30N08VR

 

 

DDB2U30N08VR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  infineon
ddb2u30n08vr.pdf

DDB2U30N08VR
DDB2U30N08VR

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleDDB2U30N08VRIGBT-modulesDiode-Gleichrichter / diode-rectifier Vorlufige Daten / preliminary dataHchstzulssige Werte / maximum rated valuesPeriodische Rckw. SpitzensperrspannungT = 25C V 800 Vrepetitive peak reverse voltageDurchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio.T = 80C I 48 Aforward current RMS maximum p

Другие IGBT... AIKW50N60CT , AIKW50N65DF5 , AIKW50N65DH5 , AIKW75N60CT , AUIRGP4062D-E , AUIRGP4063D-E , AUIRGPS4070D0 , BSM150GB60DLC , GT30G124 , DDB6U134N16RR-B11 , DDB6U180N16RR-B11 , DDB6U30N08VR , DDB6U75N16W1R , DF1000R17IE4D-B2 , DF150R12RT4 , DF200R12KE3 , DF200R12PT4-B6 .

 

 
Back to Top