DDB2U30N08VR - аналоги и описание IGBT

 

DDB2U30N08VR - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: DDB2U30N08VR

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.5 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для DDB2U30N08VR

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DDB2U30N08VR даташит

 ..1. Size:237K  infineon
 ddb2u30n08vr.pdf pdf_icon

DDB2U30N08VR

Technische Information / technical information IGBT-Module DDB2U30N08VR IGBT-modules Diode-Gleichrichter / diode-rectifier Vorl ufige Daten / preliminary data H chstzul ssige Werte / maximum rated values Periodische R ckw. Spitzensperrspannung T = 25 C V 800 V repetitive peak reverse voltage Durchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio. T = 80 C I 48 A forward current RMS maximum p

Другие IGBT... AIKW50N60CT , AIKW50N65DF5 , AIKW50N65DH5 , AIKW75N60CT , AUIRGP4062D-E , AUIRGP4063D-E , AUIRGPS4070D0 , BSM150GB60QQQ , FGH60N60SFD , DDB6U134N16RR-B11 , DDB6U180N16RR-B11 , DDB6U30N08VR , DDB6U75N16W1R , DF1000R17IE4D-B2 , DF150R12RT4 , DF200R12KE3 , DF200R12PT4-B6 .

History: AFGHL50T65SQ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.