DDB6U75N16W1R Todos los transistores

 

DDB6U75N16W1R IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DDB6U75N16W1R

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 335 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 69 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 44 nS

Encapsulados: MODULE

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DDB6U75N16W1R datasheet

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DDB6U75N16W1R

Technische Information / Technical Information IGBT-Module DDB6U75N16W1R IGBT-modules Vorl ufige Daten Diode, Gleichrichter / Diode, Rectifier Preliminary Data H chstzul ssige Werte / Maximum Rated Values Periodische Spitzensperrspannung T = 25 C V 1600 V vj RRM Repetitive peak reverse voltage Durchlassstrom Grenzeffektivwert pro Chip T = 100 C I 65 A C FRMSM Maximum RMS forw

 9.1. Size:621K  infineon
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DDB6U75N16W1R

Technische Information / Technical Information IGBT-Modul DDB6U134N16RR_B11 IGBT-Module EconoPACK 2 Modul mit Low Loss IGBT2 und Emitter Controlled Diode und PressFIT / NTC EconoPACK 2 module with Low Loss IGBT2 and Emitter Controlled diode and PressFIT / NTC V = 1600V CES I = 134A / I = 268A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxiliary

 9.2. Size:646K  infineon
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DDB6U75N16W1R

DDB6U180N16RRP_B37 EconoPACK 2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material EconoPACK 2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / pre-applied Thermal Interface Material V = 1600V CES I = 180A / I = 360A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications

 9.3. Size:625K  infineon
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DDB6U75N16W1R

Technische Information / Technical Information IGBT-Modul DDB6U180N16RR_B11 IGBT-Module EconoPACK 2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT EconoPACK 2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT V = 1600V CES I = 180A / I = 360A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxil

Otros transistores... AUIRGP4062D-E , AUIRGP4063D-E , AUIRGPS4070D0 , BSM150GB60QQQ , DDB2U30N08VR , DDB6U134N16RR-B11 , DDB6U180N16RR-B11 , DDB6U30N08VR , G50T65D , DF1000R17IE4D-B2 , DF150R12RT4 , DF200R12KE3 , DF200R12PT4-B6 , DF300R12KE3 , DF400R12KE3 , DF900R12IP4D , DF900R12IP4DV .

History: AUIRGPS4070D0

 

 

 


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