DDB6U75N16W1R - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DDB6U75N16W1R
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 335
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 69
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.85
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.4
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 44
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 380
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de DDB6U75N16W1R - IGBT
DDB6U75N16W1R Datasheet (PDF)
ddb6u75n16w1r.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleDDB6U75N16W1RIGBT-modulesVorlufige DatenDiode, Gleichrichter / Diode, Rectifier Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesPeriodische SpitzensperrspannungT = 25C V 1600 Vvj RRMRepetitive peak reverse voltageDurchlassstrom Grenzeffektivwert pro ChipT = 100C I 65 AC FRMSMMaximum RMS forw
ddb6u134n16rr-b11.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulDDB6U134N16RR_B11IGBT-ModuleEconoPACK2 Modul mit Low Loss IGBT2 und Emitter Controlled Diode und PressFIT / NTCEconoPACK2 module with Low Loss IGBT2 and Emitter Controlled diode and PressFIT / NTC V = 1600VCESI = 134A / I = 268AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxiliary
ddb6u180n16rrp-b37.pdf
DDB6U180N16RRP_B37EconoPACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialEconoPACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT /pre-applied Thermal Interface Material V = 1600VCESI = 180A / I = 360AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications
ddb6u180n16rr-b11.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulDDB6U180N16RR_B11IGBT-ModuleEconoPACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFITEconoPACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFITV = 1600VCESI = 180A / I = 360AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxil
ddb6u30n08vr.pdf
Technische Information / technical informationIGBT-ModuleDDB6U30N08VRIGBT-modulesDiode-Gleichrichter / diode-rectifier Vorlufige Daten / preliminary dataHchstzulssige Werte / maximum rated valuesPeriodische Rckw. SpitzensperrspannungT = 25C V 800 Vrepetitive peak reverse voltageDurchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio.T = 80C I 30 Aforward current RMS maximum p
ddb6u180n16rr-b37.pdf
DDB6U180N16RR_B37EconoPACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / NTCEconoPACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC V = 1600VCESI = 180A / I = 360AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxiliary inverters Klimaanlagen Air conditioning
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Liste
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