DDB6U75N16W1R - аналоги, параметры транзистора

DDB6U75N16W1R даташит

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Technische Information / Technical Information IGBT-Module DDB6U75N16W1R IGBT-modules Vorl ufige Daten Diode, Gleichrichter / Diode, Rectifier Preliminary Data H chstzul ssige Werte / Maximum Rated Values Periodische Spitzensperrspannung T = 25 C V 1600 V vj RRM Repetitive peak reverse voltage Durchlassstrom Grenzeffektivwert pro Chip T = 100 C I 65 A C FRMSM Maximum RMS forw

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Technische Information / Technical Information IGBT-Modul DDB6U134N16RR_B11 IGBT-Module EconoPACK 2 Modul mit Low Loss IGBT2 und Emitter Controlled Diode und PressFIT / NTC EconoPACK 2 module with Low Loss IGBT2 and Emitter Controlled diode and PressFIT / NTC V = 1600V CES I = 134A / I = 268A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxiliary

9.2. Size:646K infineon
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DDB6U180N16RRP_B37 EconoPACK 2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material EconoPACK 2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / pre-applied Thermal Interface Material V = 1600V CES I = 180A / I = 360A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications

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Technische Information / Technical Information IGBT-Modul DDB6U180N16RR_B11 IGBT-Module EconoPACK 2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT EconoPACK 2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT V = 1600V CES I = 180A / I = 360A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxil