DDB6U75N16W1R - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DDB6U75N16W1R
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 335 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 69 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 44 nS
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 380 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для DDB6U75N16W1R
DDB6U75N16W1R Datasheet (PDF)
ddb6u75n16w1r.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleDDB6U75N16W1RIGBT-modulesVorlufige DatenDiode, Gleichrichter / Diode, Rectifier Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesPeriodische SpitzensperrspannungT = 25C V 1600 Vvj RRMRepetitive peak reverse voltageDurchlassstrom Grenzeffektivwert pro ChipT = 100C I 65 AC FRMSMMaximum RMS forw
ddb6u134n16rr-b11.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulDDB6U134N16RR_B11IGBT-ModuleEconoPACK2 Modul mit Low Loss IGBT2 und Emitter Controlled Diode und PressFIT / NTCEconoPACK2 module with Low Loss IGBT2 and Emitter Controlled diode and PressFIT / NTC V = 1600VCESI = 134A / I = 268AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxiliary
ddb6u180n16rrp-b37.pdf
DDB6U180N16RRP_B37EconoPACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialEconoPACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT /pre-applied Thermal Interface Material V = 1600VCESI = 180A / I = 360AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications
ddb6u180n16rr-b11.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulDDB6U180N16RR_B11IGBT-ModuleEconoPACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFITEconoPACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFITV = 1600VCESI = 180A / I = 360AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxil
ddb6u30n08vr.pdf
Technische Information / technical informationIGBT-ModuleDDB6U30N08VRIGBT-modulesDiode-Gleichrichter / diode-rectifier Vorlufige Daten / preliminary dataHchstzulssige Werte / maximum rated valuesPeriodische Rckw. SpitzensperrspannungT = 25C V 800 Vrepetitive peak reverse voltageDurchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio.T = 80C I 30 Aforward current RMS maximum p
ddb6u180n16rr-b37.pdf
DDB6U180N16RR_B37EconoPACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / NTCEconoPACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC V = 1600VCESI = 180A / I = 360AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hilfsumrichter Auxiliary inverters Klimaanlagen Air conditioning
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: DAZF150G120XCA | DAZF150G120SCA | DAZF100G170XCA | DAZF100G120XCA | DAZF100G120SCA | DAZF075G120XCA | DAZF075G120SCA | DAHF300G120SB | DAHF225G120SB | DAHF200G120SB | DAHF150G120SB